PCIe Gen 4.0 Samsung 990 PRO NVMe M.2 4TB SSD Εσωτερικός σκληρός δίσκος για λάπτοπ

Διασύνδεση

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Διαδοχική ανάγνωση

Μέχρι 7.450 MB/s * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Ακολουθητική γραφή

Μέχρι 6.900 MB/s * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Εγγύηση

Πενταετής περιορισμένη εγγύηση ή 2400 TBW περιορισμένη εγγύηση

Εφαρμογή

Πληροφοριακοί υπολογιστές, κονσόλες παιχνιδιών

Βάρος

Μέγιστο βάρος 9,0g

Μέγεθος (συσκευή: WxHxD)

80 x 22 x 2,3 mm

Εφαρμογή

Πληροφοριακοί υπολογιστές, κονσόλες παιχνιδιών

Κατηγοριακή δυναμικότητα

4,000GB (1GB = 1 δισεκατομμύριο byte από την IDEMA) * Η πραγματική χρησιμοποιήσιμη χωρητικότητα μπορεί να είναι μικρότερη (λόγω μορφοποίησης, διαχωρισμού, λειτουργικού συστήματος, εφαρμογών ή άλλου)

Φόρμα

M.2 (2280)

Διασύνδεση

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Μέγεθος (συσκευή: WxHxD)

80 x 22 x 2,3 mm

Βάρος

Μέγιστο βάρος 9,0g

Μνήμη αποθήκευσης

Samsung V-NAND TLC

Ελεγκτής

Εσωτερικός ελεγκτής της Samsung

Μνήμη Κέιχ

Samsung 4GB χαμηλής ισχύος DDR4 SDRAM

Υποστήριξη TRIM

Υποστηριζόμενη

Υποστήριξη SMART

Υποστηριζόμενη

GC (συλλογή απορριμμάτων)

Αλγόριθμος συλλογής αυτοκινήτων σκουπιδιών

Υποστήριξη κρυπτογράφησης

Κρυπτογράφηση AES 256-bit (Τάξη 0) TCG/Opal IEEE1667 (Κρυπτογραφημένη μονάδα)

Υποστήριξη WWN

Δεν υποστηρίζεται

Υποστήριξη λειτουργίας λήξης ύπνου συσκευής

- Ναι, ναι.

Διαδοχική ανάγνωση

Μέχρι 7.450 MB/s * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Ακολουθητική γραφή

Μέχρι 6.900 MB/s * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Τυχαία ανάγνωση (4KB, QD32)

Μέχρι 1,600, 000 IOPS * Οι επιδόσεις ενδέχεται να ποικίλλουν ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Τυχαίο γράψιμο (4KB, QD32)

Μέχρι 1,550, 000 IOPS * Οι επιδόσεις ενδέχεται να ποικίλλουν ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Τυχαία ανάγνωση (4KB, QD1)

Μέχρι 22.000 IOPS * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Τυχαίο γράψιμο (4KB, QD1)

Μέχρι 80.000 IOPS * Η απόδοση μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Μέση κατανάλωση ισχύος (επίπεδο συστήματος)

* Μέσος όρος: 6,5 W * Μέγιστο: 8,6 W (Run mode) * Η πραγματική κατανάλωση ενέργειας μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Κατανάλωση ενέργειας (απαπασχόληση)

Μέγιστο 55 mW * Η πραγματική κατανάλωση ισχύος μπορεί να διαφέρει ανάλογα με το υλικό και τη διαμόρφωση του συστήματος

Επιτρεπόμενη τάση

3.3 V ± 5 % Επιτρεπόμενη τάση

Αξιόπιστη (MTBF)

1.5 εκατομμύρια ώρες αξιοπιστίας (MTBF)

Θερμοκρασία λειτουργίας

Θερμοκρασία λειτουργίας 0 - 70 °C

Σοκ

1,500 G & 0,5 ms (μισό σινό)